2024
07
세계 최고 사양 GDDR7 D램 공개
2024
06
AI PC용 고성능 SSD PCB01 개발
2024
05
차세대 모바일 낸드 솔루션 ZUFS 4.0 개발
2024
04
청주 신규 Fab(M15X) D램 생산 기지 결정
2024
03
초고성능 AI 메모리 HBM3E 세계 최초로 양산
2023
11
LPDDR5T 16GB 패키지 제품 상용화
2023
08
세계 최고 용량 LPDDR5X 24GB 패키지D램 양산
2023
08
세계 최고 사양 HBM3E 개발
2023
06
세계 최고층 238단 4D 낸드 양산
2023
06
차량용 메모리 솔루션 ASPICE 레벨2 인증 획득
2023
05
10나노급 5세대(1b) 서버용 DDR5 세계 최초 데이터센터 호환성 검증 돌입
2023
04
세계 최초 12단 적층 HBM3 개발
2022
08
주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료
2022
08
세계 최고층 238단 4D NAND 개발
2022
06
현존 최고 사양 DRAM인 HBM3 양산
2022
04
SK하이닉스의 128단 NAND와 솔리다임의 컨트롤러를 결합한 고성능 SSD 신제품인 P5530 출시
2022
02
차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발
2021
12
업계 최초 24Gb DDR5 DRAM 샘플 출하
2021
12
인텔(사) NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료
2021
10
업계 최초 HBM3 DRAM 개발
2021
10
주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정
2021
07
EUV 활용 4세대 10나노급 8Gb LPDDR4 모바일 DRAM 양산
2021
04
128단 4D 낸드 기반 PCIe Gen 4 기업용 SSD 신제품 양산
2021
03
업계 최대 용량 LPDDR5 모바일 DRAM 양산
2020
11
RE(Renewable Energy)100 가입
2020
10
세계 최초 2세대 10나노급 DDR5 출시
2020
10
Intel사 NSG의 옵테인 사업부를 제외한 NAND 사업 부문 전체 영업양수결정
2020
04
CDP(Carbon Disclosure Project) 코리아 어워드 물 경영 부분 대상
2020
03
이사 4인 선임(감사위원회 위원 2인 포함)-. 이사 선임: 이석희-. 기타비상무이사 선임: 박정호-. 사외이사 선임: 신창환, 한애라-. 감사위원회 위원 선임: 하영
2019
12
10나노급 LPDDR4 환경성적표지 인증 획득
2019
10
3세대 10나노급 16Gb DDR4 개발
2019
06
세계 최초 128단 4D 낸드 양산
2019
05
96단 4D 낸드 기반 고성능 1Tb QLC 샘플 출하
2018
11
96단 512Gb TLC 4D 낸드플래시 개발
2018
11
10나노급 2세대 8Gb DDR4 개발
2018
04
10나노급 16Gb DDR4 개발
2018
03
이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 박성욱-. 사외이사 선임 : 송호근, 조현재, 윤태화-. 감사위원회 위원이 되는 사
2018
02
72단 3D 낸드 기반 4TB 기업용 SATA SSD 및 1TB 기업용 PCIe SSD 개발
2017
09
도시바 반도체 사업 지분 인수를 위한 타법인 지분 출자 결의
2017
07
에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)에 Foundry사업과 관련된 자산 등 포괄적 양도
2017
04
72단 256Gb TLC 3D 낸드플래시 개발
2017
04
20나노급 8Gb 기반 GDDR6 DRAM 개발
2017
01
16Gb 기반 8GB LPDDR4X 출시
2016
10
(주)실리콘화일과 CIS영업부문에 대한 영업양수
2015
08
샌디스크와 특허 라이선스 연장 및 공급 계약 체결
2015
03
이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
2015
02
도시바와 NIL 기술 공동 개발 계약 체결
2015
02
사업연속성경영시스템(ISO22301) 인증 획득
2014
10
최대용량 비휘발성 하이브리드 DRAM 모듈 개발
2014
09
중국 충칭 후공정 생산법인 (SKHYCQL) 준공
2014
09
차세대 와이드 IO2 모바일 DRAM 개발
2014
05
20나노급 모바일 DRAM 저탄소 제품 인증 획득
2014
04
20나노급 8Gb DDR4기반 128GB 모듈 개발
2014
01
(주)실리콘화일과 포괄적 주식교환계약
2013
12
20나노급 8Gb LPDDR4 개발
2013
10
20나노급 6Gb LPDDR3 개발
2013
07
삼성전자와 반도체 특허 크로스라이선스 계약 체결
2013
06
20나노급 8Gb LPDDR3 개발
2013
06
램버스社와 포괄적 특허 라이선스 계약 체결
2013
03
김준호 사내이사 1인 신규 선임
2012
09
플래시 솔루션 디자인 센터 설립
2012
06
낸드플래시 개발업체 아이디어플래시(Ideaflash S.r.l.) 인수
2012
03
상호 변경 : 에스케이하이닉스(주)
2011
03
30나노급 2Gb DDR4 개발
2010
12
30나노급 4Gb DDR3 개발
2010
06
중국 후공정 합작공장 HITECH 준공
2010
02
20나노급 64Gb 낸드플래시 개발
2010
01
40나노 2Gb 모바일 DRAM 개발
2009
12
40나노 2Gb GDDR5 개발
2008
12
54나노 2Gb 고용량 모바일 D램 개발
2008
06
실리콘화일社 지분취득 결정 및 기존 파운드리 계약범위 확대
2008
06
중셀(X3) 기술 기반 32Gb 낸드 플래시 개발
2007
11
'일하는 이사회'를 위한 신(新)이사회 제도 도입
2007
09
초박형(25㎛) 24단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
2007
08
200MHz 1Gb 모바일 D램 개발
2007
05
초박형(25마이크로미터) 20단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
2007
04
청주 신규 300mm 공장 착공
2007
04
퓨전메모리 제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산
2007
03
ECC회로 적용한 185HMz 512Mb 모바일 D램 개발
2006
12
60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800MHz 모듈 개발
2006
12
200MHz 512Mb 모바일 DRAM 개발
2006
09
300mm 연구소(R3 R&D Fab) 설립
2005
12
513Mb GDDR4(11.6GBPS) D램 개발
2005
11
JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발
2005
04
중국 장쑤성 우시시에 중국 현지 합작공장 착공
2005
01
전력 소모 30%이 줄인 서버용 메모리 모듈 개발
2004
10
비메모리 사업부문 영업양도 완료
2004
06
1Gb DDR2 고성능 서버용 4GB 모듈(RDIMM) 및 노트북용 2GB 모듈(SoDIMM) 시제품 출시
2004
03
노트북용 1GB DDR2모듈 (SODIMM)출시
2004
03
DDR2 SD램 550MHz 개발
2004
02
512Mb 낸드 플래시메모리 개발 성공
2003
09
셀레스티카사로부터 우수 협력업체 수상
2003
08
0.18미크론 고전압 공정기술 세계 최초 개발
2003
07
초고속 256메가 DDR500 출시
2003
06
환경/안전/보건 기술연구소 설립
2003
06
4천96 색상 구현 유기 EL 구동 칩 출시
2003
05
0.10미크론급 골든칩 양산기술성공 모바일용 초저전력 256메가 sd램 양산
2003
03
하이닉스반도체, 업계 최초 메가급 Fe램 상용화 기술 개발
2003
03
하이닉스반도체, CMOS 고주파 PLL 집적회로 칩 출시
2002
12
그래픽 메모리용 초고속 128메가 DDR SD램 출시-
2002
12
-메인 및 그래픽 메모리용 초고속256메가 DDR SD램 출시
2002
08
그래픽 메모리용 초고속 256메가 DDR SD램 최초 출시
2002
08
메모리 모듈 국내 판매 사이트 오픈
2002
07
블루투스 '임베디드 플래시 베이스밴츠침' 개발, 우의제 대표이사 선임
2002
06
고성능 정보가전용 256메가 SD램 최초 출시
2001
12
그래픽용 128M DDR SDRAM 세계 최초 출시
2001
10
카오디오용 8비트 MCU 개발/양산 돌입
2001
10
0.10미크론급 512메가 DDR 개발
2001
07
LCD 사업부문 "현대디스플레이테크놀로지"로 분사
2001
07
통신 ADSL 사업부문 "현대시스콤"으로 분사
2001
06
국내외 대규모 GDR 발행 성공
2001
05
통신단말기 사업부문 "현대큐리텔"로 분사, 1메가 강유전체 메모리 (FeRAM) 개발
2001
05
통신네크워크 사업부문 " 현대네트웍스"로 분사
2001
04
그래픽용 세계 최고속 DDR SD램 양산
2001
03
상호 변경 : (주)하이닉스반도체
2001
01
초고속 512메가 DDR SDRAM 개발
2000
12
초소형 256MB 반도체 모듈 개발
2000
10
전사적 자원관리 시스템(ERP) 본격 가동
2000
10
인도 CDMA WLL 장비시장 진출, 가정의 날 휴가제조 시행
2000
08
신기능 15.0/18.1인치 TFT-LCD 모듈 개발
2000
08
새슬로건 "Human & Digital"선포, PDP사업부문 분사
2000
07
'글로벌 자금관리 시스템' 운용개시
2000
06
차세대 고성능 18.1인치 TFT-LCD 개발 양산
2000
05
세계 최초로 메모리카드용 USB IC 'Music Charger' 개발
2000
05
국내 최초 ADSL 시스템 수출개시
2000
04
MPEG-4/7기술 국제 표준 작업에 채택, 배터리 충전기용 MCU 개발 양산
2000
03
세계 최소형 256메가 싱크로너스 D램 사용제품 개발
2000
02
미 인텔사로부터 '인텔 개발자 회의'에서 CMTL상 수상
1999
12
국내 대형 제조업체중 최초로 스톡옵션제 시행
1999
11
세계최초로 신메모리 공정기술 개발
1999
11
19"모니터, 독일 PC전문지로부터 최우수 모니터 선정
1999
06
세계 최고속 그래픽용 16M 싱크로너스 D램 양산
1999
02
국내최초 MP3 디코더 칩 생산
1998
12
세계 최초 4기가 D램용 감광제 양산 기술화 성공및 기술수출
1998
12
0.25um 비메모리 제조기술 개발
1998
11
세계 최고속 128M SDRAM 양산
1998
10
4세대 64M 싱크로너스 DRAM 개발
1998
09
차세대 메모리 FeRAM개발, 세계 최소형 Direct Rambus DRAM개발
1998
09
64M DDR 싱크로너스 DRAM 개발
1998
08
MAXTOR(HDD제조공급) 나스닥 상장
1998
05
미국 오레건주 유진 반도체공장 준공
1998
04
미국내 반도체 디자인회사 설립, 순수 국내기술 '음성인식' PCS 단말기 출시
1998
03
MPEG-4 핵심기술 국제표준안 채택
1998
02
국내최초 자동차용 비메모리 반도체 개발
1998
02
26인치 PDP 독자개발, 세계 최초 초고속 64M SDRAM 양산 성공
1997
12
국내최초 디지털 HDTV방송시스템 개발, 64M DRAM 월산 500만개 생산체제 구축
1997
11
세계최초 싱크링크 DRAM 시제품 개발
1997
05
SOI 기술을 이용한 1기가 싱크로너스 DRAM 개발
1997
03
뉴질랜드 위성통신서비스사업 참여, 대표이사 변경 : 김영환
1996
12
기업공개 및 상장, TFT-LCD공장 준공 및 생산가동
1996
10
영국 스코틀랜드 반도체공장 설치
1996
07
반도체 제7공장 준공및 생산가동
1996
02
미국 오레건주 반도체공장(HSA) 착공
1995
10
세계 최초 256M SDRAM 개발
1995
09
국내 최초 386CPU CHIP개발
1995
08
미국 정부 Workstation 납품업체 선정
1995
06
미국 개인휴대통신 (PCS)사업참여
1995
04
세계 최초 MPEG2 SAVI 디코더칩 개발
1993
03
뉴미디어 (디지털가전)사업 착수
1991
03
반도체 16M DRAM 개발성공, PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
1988
06
PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
1985
11
CMOS 256KDRAM 시제품 개발
1985
07
256KDRAM,IMDRAM,256KSRAM 기술도입인가
1984
10
반도체 1공장,산업전자,정보공장 가준공
1983
02
상호 변경 : 현대전자산업(주)
